应变效应
1、半径、测量精度和应变片自身特点等方面去加以考虑。
2、个微应变是0.04%，因为0.04%=400*10^（-6），这种X%的形式的都可以写成（X*10^4）*10^（-6）的形式，X是多少微应变就是（X*10^4）个。
3、测试的环境主要考虑温度、温度和电磁场等。应变的性质分为静应变和动应变，静态应变测量选择横向效应较小的应变片；动态应变测量选择疲劳寿命强的应变片。
4、实际应用时，选择微应变应从测试环境、应变的性质、应变变化梯度、粘贴空间、曲率
5、金属导体的电阻值随着它受力所产生机械变形（拉伸或压缩）的大小而发生变化的现象称之为金属的电阻应变效应。
6、（1）丝绕式
7、微应变也是用来表示形变的变化程度，只不过是用来描述极其微小的形变，用με表示，1με=（ΔL/L）*10^（-6），即ε=10^6*με，也就是说微应变是应变的百万分之一。
8、同时用巨磁电阻材料构成磁电子学器件，在信息存储领域中获得很大的应用，如在1994年计算机硬盘中使用了巨磁电阻(GMR)效应的自旋阀结构的读出磁头，取得了1Gb/inch的存储密度。
9、材料的应变与受力、湿度、温度场变化等有关。磁场、电场、微波等也会引起材料的应变。
10、材料的应变是指材料内任一点因各种作用引起的尺寸或形状发生相对变形。
11、用电阻丝盘绕电阻片称为丝绕式电阻片，目前广泛使用的有半圆弯头平绕式，这种电阻片多用纸底和纸盖，价格低廉，适于实验室广泛使用，缺点是精度较差，横肉向效应系数较大。
12、电阻应变片就是基于应变效应制作的，即导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时，其电阻值相应的发生变化，这种现象称为“应变效应”。
13、（2）短接式
14、横向效应是跟应变片有关的一种现象：应变片的核心部分是敏感栅。将电阻丝绕成敏感栅后，虽然长度不变，但其直线段和圆弧段的应变状态不同，其灵敏系数K较整长电阻丝的灵敏系数K0小，该现象称为横向效应。 从应变片受力角度来看，在单向应力、双向应变情况下，横向应变总是起着抵消纵向应变的作用。应变片这种既敏感纵向应变，又同时受横向应变影响而使灵敏度系数及电阻相对变化都减小的现象，称为应变片的横向效应。
15、这种电阻片的制作比较容易，在一排拉直的电阻丝之间，在预定的标距上用较粗的导线相间地造成短路，这种电阻片有用纸底的，也有用胶底的。短路接式电阻片的优点是几何形状比容易于保证，而且横向效应系数近于零。
16、扩展资料
17、单位面积上的力叫应力，单位力产生的变形叫应变。
18、电阻应变片可以分为3类：
19、电阻应变效应是指金属导体的电阻在导体受力产生变形（伸长或缩短）时发生变化的物理现象。当金属电阻丝受到轴向拉力时，其长度增加而横截面变小，引起电阻增加。
20、随着金属多层膜和颗粒膜的巨磁电阻(GMR)及稀土氧化物的特大磁电阻(CMR)的发现，以研究、利用和控制自旋极化的电子输运过程为核心的磁电子学得到很大的发展。
21、（3）箔式电阻片
22、με这个单位是微应变的单位符号。
23、反之，当它受到轴向压力时则导致电阻减小。电阻应变计与弹性敏感元件、补偿电阻一起可构成多种用途的电阻应变式传感器。
24、到1996年，存储密度已达5Gb/inch，并计划在2000年前后实现存储密度10~20Gb/inch。由于GMR磁头在信息存储运用方面的巨大潜力，激发了人们对各种材料的磁电阻效应进行深人广泛研究的热情，使得人们对于磁电阻效应的物理起源有更深的认识，促进了磁电阻效应的广泛应用。所谓磁电阻效应，是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。
25、金属电阻应变片的工作原理是吸附在基体材料上应变电阻随机械形变而产生阻值变化的现象，俗称为电阻应变效应。金属导体的电阻值可用下式表示：式中：ρ——金属导体的电阻率（Ω·cm2/m）S——导体的截面积（cm2）L——导体的长度（m）我们以金属丝应变电阻为例，当金属丝受外力作用时，其长度和截面积都会发生变化，从上式中可很容易看出，其电阻值即会发生改变，假如金属丝受外力作用而伸长时，其长度增加，而截面积减少，电阻值便会增大。当金属丝受外力作用而压缩时，长度减小而截面增加，电阻值则会减小。只要测出加在电阻的变化（通常是测量电阻两端的电压），即可获得应变金属丝的应变情
26、它是在合金箔（康铜箔或镍铬箔）的一面涂胶形成胶底，然后在箔面上用照相腐蚀成形法制成的，所以几何形状和尺寸非常精密，而且由于电阻丝部分是平而薄的矩形截面，所以粘贴牢固，丝的散热性能好，横向效应系数也较低。
27、横向效应：将直的金属丝绕成敏感栅后，虽然长度相同，但应变状态不同，应变片敏感栅的电阻变化要比直的金属丝要小；横向效应使得测试的灵敏系数降低了；为了减小横向效应的影响可采用短接式或直角式横栅，采用箔式应变片也可有效地克服横向效应的影响